Русграфен
Главная/CVD технология синтеза 2Д материалов

CVD технология синтеза 2Д материалов

Химическое газофазное осаждение - передовой метод получения высококачественных двумерных наноматериалов.

Прекурсоры

Газообразные химические соединения для синтеза

Нагрев

Температура до 1000°C для активации процесса

Разложение

Термическое разложение газов на подложке

Осаждение

Формирование тонкой пленки материала

Процесс CVD синтеза

Детальное описание этапов химического газофазного осаждения

1. Подготовка системы

Создание вакуума в реакционной камере и размещение каталитической подложки (обычно медь или никель) в зоне нагрева.

2. Подача газов

Введение прекурсоров (например, метан для графена) и защитных газов (аргон, водород) в контролируемых пропорциях.

3. Нагрев подложки

Повышение температуры до 800-1000°C для активации каталитических свойств подложки и разложения прекурсоров.

4. Рост материала

Формирование двумерной структуры материала на поверхности подложки в результате каталитического разложения газов.

5. Охлаждение и извлечение

Контролируемое охлаждение системы и извлечение готового материала для дальнейшего использования или анализа.