CVD технология синтеза 2Д материалов
Химическое газофазное осаждение - передовой метод получения высококачественных двумерных наноматериалов.
Прекурсоры
Газообразные химические соединения для синтеза
Нагрев
Температура до 1000°C для активации процесса
Разложение
Термическое разложение газов на подложке
Осаждение
Формирование тонкой пленки материала
Процесс CVD синтеза
Детальное описание этапов химического газофазного осаждения
1. Подготовка системы
Создание вакуума в реакционной камере и размещение каталитической подложки (обычно медь или никель) в зоне нагрева.
2. Подача газов
Введение прекурсоров (например, метан для графена) и защитных газов (аргон, водород) в контролируемых пропорциях.
3. Нагрев подложки
Повышение температуры до 800-1000°C для активации каталитических свойств подложки и разложения прекурсоров.
4. Рост материала
Формирование двумерной структуры материала на поверхности подложки в результате каталитического разложения газов.
5. Охлаждение и извлечение
Контролируемое охлаждение системы и извлечение готового материала для дальнейшего использования или анализа.